低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	凌嘉佑
作者(外文):	Chia-yu Ling
論文名稱(中文):	低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究
論文名稱(外文):	Low-Temperature Formed Dielectrics and Tri-gate Structure on Stacked Vertical Gate Junctionless CT Flash Memory Devices
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao,Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生謝嘉民
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Shieh,Jia-Min
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	103011556
出版年(民國):	105
畢業學年度:	104
語文別:	中文
論文頁數:	88
中文關鍵詞:	電荷儲存式快閃記憶體
外文關鍵詞:	Charge trapping type flash memory
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