以不等距結構優化研製砷化鎵單石積體化達靈頓疊接電路__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	邱昱翔
作者(外文):	Chiu, Yu-Hsiang
論文名稱(中文):	以不等距結構優化研製砷化鎵單石積體化達靈頓疊接電路
論文名稱(外文):	GaAs-Based Monolithic Integration Darlington Cascode Configuration Fabricated with non- uniform spacing emitter finger
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	王永和王郁琦羅文雄蘇炎坤
口試委員(外文):	Wang, Yeong-Her WANG, YU-QI Lour, Wen-Shiung Su, Yan-Kui
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	111063525
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	129
中文關鍵詞:	砷化鎵、單石積體化、疊接式電晶體、功率元件、雙脈衝切換量測、達靈頓
外文關鍵詞:	GaAs、monolithically integration、cascode、power device、double pulse test measurement、Darlington
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