掘入式歐姆接觸指叉結構p型氮化鎵大電流高電子遷移率電晶體於碳化矽基板之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	張志亘
作者(外文):	Chang, Chih-Hsuan
論文名稱(中文):	掘入式歐姆接觸指叉結構p型氮化鎵大電流高電子遷移率電晶體於碳化矽基板之研製
論文名稱(外文):	Fabrication of E-Mode High Current p-GaN HEMT Devices with Ohmic Recess and Multi-finger Structure on SiC substrate
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	王郁琦蘇炎坤王永和羅文雄
口試委員(外文):	Wang, Yu-Chi Su, Yan-Kuen Wang, Yung-He Luo, Wen-Shiung
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	111063524
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	91
中文關鍵詞:	氮化鎵、高電子遷移率電晶體、碳化矽基板
外文關鍵詞:	GaN、HEMT、SiC
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