在低溫後段製程下藉由氮化鈦金屬緩衝層與氧電漿預處理方式提升鐵電電容特性並緩解喚醒效應__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	黃昱瑋
作者(外文):	Huang, Yu-Wei
論文名稱(中文):	在低溫後段製程下藉由氮化鈦金屬緩衝層與氧電漿預處理方式提升鐵電電容特性並緩解喚醒效應
論文名稱(外文):	Enhancing Characteristics and Alleviating Wake-up Effect of Ferroelectric Capacitors through TiN Metal Buffer Layer and Oxygen Plasma Pretreatment in Low-Thermal Budget BEOL Process
指導教授(中文):	巫勇賢
指導教授(外文):	Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):	吳永俊吳添立
口試委員(外文):	Wu, Yung-Chun Wu, Tian-Li
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	111011547
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	91
中文關鍵詞:	鐵電記憶體、鐵電電容、介面工程、電漿處理、類神經網路、低溫製程
外文關鍵詞:	Ferroelectric memory、Ferroelectric capacitor、Interface engineering、Plasma treatment、Neural network、Low Temperature process
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