資料載入處理中...
圖書館首頁
|
網站地圖
|
首頁
|
本站說明
|
聯絡我們
|
相關資源
|
台聯大論文系統
|
操作說明
|
English
簡易查詢
進階查詢
論文瀏覽
熱門排行
我的研究室
上傳論文
建檔說明
常見問題
帳號：guest(3.22.216.254)
離開系統
字體大小：
詳目顯示
第 1 筆 / 共 1 筆
/1
頁
以作者查詢圖書館館藏
、
以作者查詢臺灣博碩士論文系統
、
以作者查詢全國書目
論文基本資料
電子全文
作者(中文):
林峻頡
作者(外文):
Lin, Jun-Jie
論文名稱(中文):
1.2kV級4H-SiC溝槽式閘極金氧半場效電晶體特性模擬研究
論文名稱(外文):
Simulation Study of 1.2 kV Class 4H-SiC Trench Gate MOSFET
指導教授(中文):
黃智方
指導教授(外文):
Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):
張庭輔
吳添立
口試委員(外文):
Chang, Ting-Fu
Wu, Tian-Li
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立清華大學
系所名稱:
電子工程研究所
學號:
110063562
出版年(民國):
112
畢業學年度:
112
語文別:
中文
論文頁數:
75
中文關鍵詞:
碳化矽
、
功率元件
、
溝槽元件
、
模擬分析
外文關鍵詞:
SiC
、
Power device
、
Trenched device
、
Simulation analysis
相關次數:
推薦:0
點閱:31
評分:
下載:0
收藏:0
(此全文20261031後開放外部瀏覽)
電子全文
摘要
推文
當script無法執行時可按︰
推文
推薦
當script無法執行時可按︰
推薦
評分
當script無法執行時可按︰
評分
引用網址
當script無法執行時可按︰
引用網址
轉寄
當script無法執行時可按︰
轉寄
top
相關論文
1.
邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發
2.
碳化矽功率二極體研發與製作
3.
反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製
4.
輻射效應誘發4H碳化矽金氧半場效電晶體之特性退化與失效機制
5.
1200與3300伏特級4H-SiC溝槽垂直功率元件之特性研究
6.
1700伏 4H-SiC非對稱可關斷閘流體直流特性與切換模擬之研究
7.
橫向高電壓4H-SiC PN 二極體設計與製作
8.
多維電場對橫向式擴散金氧半場效電晶體特性之影響
9.
橫向高電壓碳化矽PN二極體與金氧半場效電晶體之特性模擬與分析
10.
4H-SiC閘極介電層之特性研究
11.
4H-碳化矽NPN雙載子電晶體熱效應模擬與模型之建立
12.
1.8V低功率NOR型快閃記憶體多階感測放大器
13.
Design of CMOS RF Transmit/Receive Switch and Low Noise Amplifier
14.
橫向高電壓4H-SiC接面場效電晶體設計與製作
15.
橫向高電壓4H-SiC金氧半場效電晶體設計與製作
簡易查詢
|
進階查詢
|
論文瀏覽
|
熱門排行
|
管理/審核者登入