碳化矽基板大電流掘入式歐姆接觸增強型指叉結構p型氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	黃紀嘉
作者(外文):	Huang, Chi-Chia
論文名稱(中文):	碳化矽基板大電流掘入式歐姆接觸增強型指叉結構p型氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製
論文名稱(外文):	Fabrication of Ohmic Recess E-Mode High Current p-GaN HEMT Devices on SiC with Multi-finger Structure
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	陳科宏黃建璋蘇炎坤
口試委員(外文):	Chen, Ke-Horng Huang, JianJang Su, Yan-Kuin
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	110063530
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	英文
論文頁數:	82
中文關鍵詞:	氮化鎵、高電子遷移率電晶體
外文關鍵詞:	GaN、HEMT
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