相容於先進CMOS後段製程之新型高電容值奈米針型陣列電容器__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	趙桂生
作者(外文):	Chao, Gui-Sheng
論文名稱(中文):	相容於先進CMOS後段製程之新型高電容值奈米針型陣列電容器
論文名稱(外文):	A New Via Pin Array Capacitor (VPAC) with High Capacitance Built in Advanced CMOS Logic BEOL Technology
指導教授(中文):	林崇榮
指導教授(外文):	Lin, Chrong-Jung
口試委員(中文):	金雅琴池育德
口試委員(外文):	King, Ya-Chin Chih, Yue-Der
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	110063521
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	100
中文關鍵詞:	嵌入式電容器、奈米針型陣列電容器、互補式金氧半鰭式場效電晶體、金屬-氧化物-金屬電容器、互補式金氧半後端製程
外文關鍵詞:	Embedded Capacitor、Via Pin Array Capacitor (VPAC)、CMOS logic FinFET、Metal-Oxide-Metal Capacitors、CMOS BEOL technologies
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