1700伏特級4H-SiC TMBS二極體之模擬研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	詹宜靜
作者(外文):	Chan, Yi-Ching
論文名稱(中文):	1700伏特級4H-SiC TMBS二極體之模擬研究
論文名稱(外文):	Simulation Study of 4H-SiC 1700 V Class TMBS Diodes
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	崔秉鉞趙得勝
口試委員(外文):	Tsui, Bing-Yue Chao, Der-Sheng
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	110063515
出版年(民國):	112
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	68
中文關鍵詞:	碳化矽、溝槽式金氧半能障蕭基二極體、特徵導通電阻、崩潰電壓、反向恢復電荷、突波電流
外文關鍵詞:	4H-SiC、TMBS、Specific On Resistance、Breakdown Voltage、Reverse Recovery Charge、Surge Current
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