應用後段銅製程之多階儲存通孔式反熔絲一次性寫入記憶體__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	葉立榆
作者(外文):	Yeh, Li-Yu
論文名稱(中文):	應用後段銅製程之多階儲存通孔式反熔絲一次性寫入記憶體
論文名稱(外文):	Offset Via Anti-Fuse Multi-level One-Time-Programmable Memory in Cu BEOL Technologies
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林崇榮施教仁
口試委員(外文):	Lin, Chrong-Jung Shih, Jiaw-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	110063510
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	69
中文關鍵詞:	一次性寫入記憶體、自動對準通孔、多階儲存、高電組通孔
外文關鍵詞:	One-Time Programmable、Self-Aligned Via、Multi-Level Cell、high resistance via
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