應用於功率切換之單石積體化掘入式歐姆接觸大電流疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	張博鈞
作者(外文):	Chang, Po-Chun
論文名稱(中文):	應用於功率切換之單石積體化掘入式歐姆接觸大電流疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of Monolithic Integrated High Current Multi-Finger Cascode AlGaN/GaN HEMT with Deeply Recessed Ohmic Contact for Power Switching
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	蘇炎坤陳科宏黃建璋
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	110063509
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	英文
論文頁數:	136
中文關鍵詞:	單石積體化、氮化鎵、疊接式電晶體、功率元件、功率切換元件、雙脈衝切換量測
外文關鍵詞:	monolithically integration、GaN、cascode HEMT、power device、power switching device、double pulse test measurement
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