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論文基本資料
電子全文
作者(中文):
林哲璋
作者(外文):
Lin, Zhe-Zhang
論文名稱(中文):
以電漿輔助化學氣相沉積法及氯化物前驅物製備鍺錫薄膜之製程優化及薄膜光致發光特性研究
論文名稱(外文):
Process Optimization of Germanium Tin Thin Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Chloride Precursors and Study of Film Photoluminescence Characteristics
指導教授(中文):
林明緯
陳賜原
指導教授(外文):
Lin, Ming-Wei
Chen, Szu-Yuan
口試委員(中文):
王偉華
趙得勝
口試委員(外文):
Wang, Wei-Hua
Chao, Der-Sheng
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立清華大學
系所名稱:
核子工程與科學研究所
學號:
110013506
出版年(民國):
113
畢業學年度:
112
語文別:
中文
論文頁數:
64
中文關鍵詞:
鍺錫薄膜
、
電漿輔助化學氣相沉積法
、
光致發光
、
中紅外光電元件
外文關鍵詞:
GeSn thin film
、
PECVD
、
Photoluminescence
、
Infrared photonic
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