矽鍺p通道鰭式和非晶氧化半導體n通道電晶體形成三維互補式金屬氧化半導體之電特性研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	陳佑昕
作者(外文):	Chen, Yu-Hsin
論文名稱(中文):	矽鍺p通道鰭式和非晶氧化半導體n通道電晶體形成三維互補式金屬氧化半導體之電特性研究
論文名稱(外文):	Electrical Characteristics of 3D CMOS Formed with SiGe pFinFET and Amorphous Oxide Semiconductor nTFT
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生羅廣禮
口試委員(外文):	Jhao, Tian-Sheng Luo, Guang-Li
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011571
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	128
中文關鍵詞:	三維積體電路元件、互補式金屬氧化半導體、矽鍺鰭式電晶體、非晶氧化物半導體、氧化銦鎵鋅薄膜電晶體
外文關鍵詞:	3D integrated circuit device、CMOS、SiGe FinFET、Amorphous Oxide Semiconductor、IGZO TFT
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