富金屬界面層與合金閘介電層和真空退火與低溫氧化對鍺n型金氧半電晶體之影響研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	陳威仁
作者(外文):	Chen, Wei-Ren
論文名稱(中文):	富金屬界面層與合金閘介電層和真空退火與低溫氧化對鍺n型金氧半電晶體之影響研究
論文名稱(外文):	Effects of Metal Rich Interface Layer/Alloy Gate Dielectric and Vacuum Annealing/Low Temperature Oxidation on Ge nMOSFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生李耀仁
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011570
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	138
中文關鍵詞:	鍺、電晶體、富金屬、合金、真空退火、低溫氧化
外文關鍵詞:	Ge、MOSFET、Alloy Gate Dielectric、Vacuum Annealing、Low Temperature Oxidation、Metal Rich
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