應用鎳化鍺後離子佈值與低溫氧化閘堆疊以改善鍺場效電晶體電特性之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	吳承祐
作者(外文):	Wu, Cheng-Yu
論文名稱(中文):	應用鎳化鍺後離子佈值與低溫氧化閘堆疊以改善鍺場效電晶體電特性之研究
論文名稱(外文):	Improved Electrical Characteristics of Ge FET with Ion Implantation after NiGe and Low Temperature Oxidation on Gate Stacks
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生李耀仁
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011569
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	114
中文關鍵詞:	鎳化鍺後離子佈值、低溫氧化閘堆疊、鍺鰭式電晶體、鍺閘極環繞式電晶體
外文關鍵詞:	Ion Implantation after NiGe(IAG)、Low Temperature Oxidation on Gate Stacks、Ge FinFET、Ge GAAFET
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