金屬氮化緩衝層與電漿浸潤式離子佈植對矽鍺鰭式場效電晶體電特性影響之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

圖書館首頁| 網站地圖| 首頁| 本站說明| 聯絡我們| 相關資源| 台聯大論文系統| 操作說明 | English

帳號：guest(3.133.135.8) 離開系統

字體大小：

字級放大

字級縮小

預設字形

詳目顯示

第 1 筆 / 共 1 筆

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

/1頁

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士論文系統

、以作者查詢全國書目

論文基本資料
電子全文

作者(中文):	宋柏諭
作者(外文):	Sung, Po-Yu
論文名稱(中文):	金屬氮化緩衝層與電漿浸潤式離子佈植對矽鍺鰭式場效電晶體電特性影響之研究
論文名稱(外文):	Effects of Metal Nitride Buffer Layers and Plasma Immersion Ion Implantation on Electrical Characteristics of SiGe FinFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生羅廣禮
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Luo, Guang-Li
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011567
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	101
中文關鍵詞:	矽鍺通道、鰭式電晶體、氮化金屬、電漿浸潤式離子佈植
外文關鍵詞:	Buffer Layer、FinFET、PIII
相關次數:	推薦:0 點閱:5 評分: 下載:0 收藏:0

(此全文20290709後開放外部瀏覽)
電子全文
摘要

推文
推薦
評分
引用網址
轉寄

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

相關論文

1.	鉿金屬氧化物閘介電層金氧半元件之電性與可靠度特性研究
2.	快閃記憶體操作效能提昇之研究
3.	新型垂直結構及堆疊穿隧介電層應用於快閃記憶體元件之研究
4.	核電廠橡膠電纜劣化與監測技術之研究
5.	SONOS快閃記憶體元件中氮化矽製程之研究
6.	HfOxNy閘介電層內氮含量分佈與矽基板退火對金氧半電容元件電特性之影響
7.	同位素微電池之研究
8.	不同HfOxNy/SiO2堆疊穿隧介電層對快閃記憶體操作特性之影響
9.	先進微影材料之光學特性研究
10.	先進金氧半電晶體缺陷分佈偵測技術研究
11.	核能電廠半導體輻射偵檢器之研究與應用
12.	HfTaN薄膜之製備及作為MOS元件閘電極之特性研究
13.	快閃記憶體寫入暨抹除方法改善與模擬分析
14.	成長式奈米碳管場效電晶體與旋塗式奈米碳管場效電晶體之電特性比較
15.	高介電係數閘極電晶體與電容之氧化層電荷與界面陷阱量測研究

簡易查詢 | 進階查詢 | 論文瀏覽 | 熱門排行 | 管理/審核者登入