使用鐵電HZO加強的電荷捕捉機制實現低操作電壓及高耐久度的N通道鍺鐵電電晶體__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	黃凱揚
作者(外文):	Huang, Kai-Yang
論文名稱(中文):	使用鐵電HZO加強的電荷捕捉機制實現低操作電壓及高耐久度的N通道鍺鐵電電晶體
論文名稱(外文):	Ferroelectric HZO Boosted Charge Trap Memory with Low-Voltage Operation and Robust Endurance for Ge N-Channel Ferroelectric FET
指導教授(中文):	巫勇賢
指導教授(外文):	Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):	吳永俊李耀仁
口試委員(外文):	Wu, Yung-Chun Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011562
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	57
中文關鍵詞:	電荷捕捉、氧化鉿鋯、鐵電電晶體、鍺基板
外文關鍵詞:	Charge trapping、HZO、FEFET、Germanium substrate
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