以TiN與雙層HfZrOx堆疊結構實現鐵電電容之低操作電壓與多位元儲存能力__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	施宏沅
作者(外文):	Shih, Hung-Yuan
論文名稱(中文):	以TiN與雙層HfZrOx堆疊結構實現鐵電電容之低操作電壓與多位元儲存能力
論文名稱(外文):	Achievement Of Low TLC Operation Voltage For Ferroelectric Capacitor By Laminate HfZrOx-TiN-HfZrOx Structure
指導教授(中文):	巫勇賢
指導教授(外文):	Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):	吳永俊李耀仁
口試委員(外文):	Wu, Yung-Chun Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011561
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	57
中文關鍵詞:	鐵電記憶體、低耗能元件、多位元儲存
外文關鍵詞:	FeRAM、low power operation、TLC operation
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