電荷儲存層與阻擋層之合金調變及氧化退火以提升多晶矽無接面式快閃記憶體元件元件操作特性__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	林哲維
作者(外文):	Lin, Che-Wei
論文名稱(中文):	電荷儲存層與阻擋層之合金調變及氧化退火以提升多晶矽無接面式快閃記憶體元件元件操作特性
論文名稱(外文):	Enhanced Operation Characteristics of Poly-Silicon Junctionless Flash Memory Devices with Alloy Modulation and Oxidation on Charge Trapping and Blocking Layers
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生吳永俊
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Wu, Yung-Chun
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	110011559
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	107
中文關鍵詞:	快閃記憶體、能帶工程、無接面式電晶體、三維閘極電晶體
外文關鍵詞:	Flash Memory、Band Engineering、Junctionless Transistor、Tri-Gate Transistor
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