大電流增強式場板結構p型氮化鎵高電子遷移率電晶體製造與特性分析__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	楊雅涵
作者(外文):	Yang, Ya-Han
論文名稱(中文):	大電流增強式場板結構p型氮化鎵高電子遷移率電晶體製造與特性分析
論文名稱(外文):	Fabrications and Researches of E-Mode High Current p-Type GaN HEMT Devices with Field Plate Structure
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	蘇炎坤張守進劉嘉哲
口試委員(外文):	Su, Yan-Kuin Chang, Shoou-Jinn Liu, Jia-Zhe
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	光電工程研究所
學號:	109066518
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	英文
論文頁數:	92
中文關鍵詞:	氮化鎵、p型氮化鎵、高電子遷移率電晶體、指叉狀結構、場版、功率元件
外文關鍵詞:	Gallium Nitride、p-type Gallium Nitride、high electron mobility transister、multi-finger structure、field plate、power device
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