高效能之4H-SiC橫向擴散金氧半場效電晶體之模擬研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	費聿辰
作者(外文):	Fei, Yu-Chen
論文名稱(中文):	高效能之4H-SiC橫向擴散金氧半場效電晶體之模擬研究
論文名稱(外文):	Simulation Study on High Performance 4H-SiC LDMOS
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	李坤彥黃宗義
口試委員(外文):	LEE, Kung-Yen Huang, Tsung-YI
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063573
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	72
中文關鍵詞:	碳化矽、降低表面電場、橫向擴散金氧半場效電晶體、多閘極
外文關鍵詞:	4H-SiC、RESURF、LDMOS、tri-gate
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