1700伏 4H-SiC非對稱可關斷閘流體直流特性與切換模擬之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	陳冠諭
作者(外文):	Chen, Guan-Yu
論文名稱(中文):	1700伏 4H-SiC非對稱可關斷閘流體直流特性與切換模擬之研究
論文名稱(外文):	Study of 4H-SiC 1.7kV Asymmetrical GTO Thyristor’s DC and Switching Characteristics with TCAD Simulation
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	李坤彥盧向成
口試委員(外文):	Lee, Kung-Yen Lu, Shiang-Cheng
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063568
出版年(民國):	112
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	62
中文關鍵詞:	碳化矽、功率元件、閘流體、雙載子元件
外文關鍵詞:	SiC、Power Device、Thyristor、Bipolar Device
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