單石積體化大電流指叉型場板結構疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	姜福庭
作者(外文):	Chiang, Fu-Ting
論文名稱(中文):	單石積體化大電流指叉型場板結構疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of Monolithic Integrated High Current Multi-finger Cascode GaN HEMT with Field Plate Structure
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	羅文雄李清庭
口試委員(外文):	Lour, Wen-Shiung Lee, Ching-Ting
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063550
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	英文
論文頁數:	134
中文關鍵詞:	高功率半導體元件、積體化疊接式氮化鎵電晶體、功率切換應用
外文關鍵詞:	AlGaN/GaN-HEMTs、All-GaN-integrated-Cascode、Power-switching
相關次數:	推薦:0 點閱:113 評分: 下載:0 收藏:0

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