利用基板擺放方式探討化學氣相沉積法合成二硫化鎢之成長形貌__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	施玟君
作者(外文):	Shih, Wen-Chun
論文名稱(中文):	利用基板擺放方式探討化學氣相沉積法合成二硫化鎢之成長形貌
論文名稱(外文):	Growth of WS2 by Chemical Vapor Deposition: From Triangular toward Large-area Thin Film Controlled by Face-up and Face-down Methods
指導教授(中文):	金雅琴闕郁倫
指導教授(外文):	King, Ya-Chin Chueh, Yu-Lun
口試委員(中文):	沈昌宏藍彥文
口試委員(外文):	Shen, Chang-Hong Lan, Yann-Wen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063547
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	英文
論文頁數:	82
中文關鍵詞:	二硫化鎢、化學氣相沉積法、成長機制
外文關鍵詞:	Tungsten Disulfide、Chemical Vapor Deposition、Growth Mechanism
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