利用NO及N2O氧化後退火改善4H-SiC低壓三閘極金氧半場效電晶體特性及可靠度之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	盧琮元
作者(外文):	Lu, Tsung-Yuan
論文名稱(中文):	利用NO及N2O氧化後退火改善4H-SiC低壓三閘極金氧半場效電晶體特性及可靠度之研究
論文名稱(外文):	Study on Performance and Reliability of 4H-SiC Low Voltage Tri-Gate MOSFET with NO and N2O Post Oxidation Annealing
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	吳添立趙得勝
口試委員(外文):	Wu, Tian-Li Chao, Der-Sheng
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063537
出版年(民國):	111
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	62
中文關鍵詞:	三閘極金氧半場效電晶體、碳化矽、氧化後退火、可靠度
外文關鍵詞:	BTI、Tri-gate、4H-SiC、NO-anneling、sub-threshold-slope、Dit
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