1200與3300伏特級4H-SiC溝槽垂直功率元件之特性研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	沈世強
作者(外文):	Shen, Shih-Chiang
論文名稱(中文):	1200與3300伏特級4H-SiC溝槽垂直功率元件之特性研究
論文名稱(外文):	Study of 1200V and 3300V 4H-SiC Trenched Vertical Power Device
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	盧向成趙得勝張庭輔
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063510
出版年(民國):	111
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	90
中文關鍵詞:	碳化矽、功率元件、垂直元件、溝槽元件、直流特性
外文關鍵詞:	SiC、Power device、Vertical device、Trenched device、DC property
相關次數:	推薦:1 點閱:260 評分: 下載:0 收藏:0

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