矽離子佈植退火溫度對於全透明藍寶石基板氮化鋁鎵/氮化鎵元件影響之探討__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	陳柏良
作者(外文):	Chen, Po-Liang
論文名稱(中文):	矽離子佈植退火溫度對於全透明藍寶石基板氮化鋁鎵/氮化鎵元件影響之探討
論文名稱(外文):	Study on Silicon Implantation for Fully Transparent AlGaN/GaN Devices on Sapphire
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	徐永珍劉漢胤
口試委員(外文):	Hsu, Yung-Jane Liu, Han-Yin
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063506
出版年(民國):	111
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	63
中文關鍵詞:	矽離子佈植、氮化鎵、退火、高電子遷移率電晶體、全透明
外文關鍵詞:	Silicon Implantation、GaN、Annealing、HEMT、Fully Transparent
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