互補式金氧半鰭式電晶體後端製程電漿感應充電效應暨區域變異性之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

圖書館首頁| 網站地圖| 首頁| 本站說明| 聯絡我們| 相關資源| 台聯大論文系統| 操作說明 | English

帳號：guest(216.73.216.146) 離開系統

字體大小：

字級放大

字級縮小

預設字形

詳目顯示

第 1 筆 / 共 1 筆

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

/1頁

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士論文系統

、以作者查詢全國書目

論文基本資料
電子全文

作者(中文):	楊凱崴
作者(外文):	Yang, Kai-Wei
論文名稱(中文):	互補式金氧半鰭式電晶體後端製程電漿感應充電效應暨區域變異性之研究
論文名稱(外文):	A Study of Plasma Induced Charging Effect in CMOS FinFET BEOL Processes and Local Variation Analysis
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林崇榮施教仁
口試委員(外文):	Lin, Chrong-Jung Shih, Jiaw-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	109063501
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	63
中文關鍵詞:	電漿感應充電效應、浮動閘極、鰭式電晶體、天線效應
外文關鍵詞:	Plasma Induced Charging Effect、Floating Gate、FinFET、Antenna Effect
相關次數:	推薦:0 點閱:573 評分: 下載:0 收藏:0

(此全文未開放授權)
電子全文
摘要

推文
推薦
評分
引用網址
轉寄

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

相關論文

1.	實現於鰭式電晶體製程之晶圓上三維電子感測器陣列
2.	鰭式電晶體技術下電漿感應充電效應之偵測與記錄
3.	側向耦合浮動金屬閘極鰭式場效電晶體之差動式可多次寫入記憶體元件
4.	交叉式耦合鰭式場效電晶體之差動式多次寫入記憶體元件
5.	應用於先進鰭式電晶體邏輯製程之新型電漿充電損害記錄元件暨電荷分離記錄特性之研究
6.	元件可靠度模型之建立與互補式金氧半高頻積體電路可靠度分析
7.	新型溝槽式分離閘快閃式記憶體
8.	分離閘快閃式記憶體之資料保存模型研究
9.	高密度嵌入式非揮發性記憶體之研究
10.	高動態範圍之數位輸出像素感測器
11.	新式具高動態範圍影像感測器元件之研究
12.	低電壓暨低電容暫態電壓抑制器之研究
13.	具高動態範圍之4T主動式影像感測器元件及操作方式
14.	由模擬來探討Floating Gate Memory及SONOS元件微小化之極限
15.	Silicon Nanocrystal Photosensor Integrated on Low-Temperature Poly-Silicon Display Panel

簡易查詢 | 進階查詢 | 論文瀏覽 | 熱門排行 | 管理/審核者登入