全真空蒸鍍溴基非揮發性與揮發性金屬鹵化物憶阻器__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	鄭維愷
作者(外文):	Cheng, Wei-Kai
論文名稱(中文):	全真空蒸鍍溴基非揮發性與揮發性金屬鹵化物憶阻器
論文名稱(外文):	All Vacuum-Evaporated Bromide-based Nonvolatile and Volatile Metal Halide Memristors
指導教授(中文):	林皓武
指導教授(外文):	Lin, Hao-Wu
口試委員(中文):	薛景中吳凱強胡璧合
口試委員(外文):	Shyue, Jing-Jong Wu, Kai-Chiang Hu, Pi-Ho
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	材料科學工程學系
學號:	109031557
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	114
中文關鍵詞:	憶阻器、金屬鹵化物、記憶體內運算
外文關鍵詞:	memristor、metal halide、in-memory computing
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