電漿浸潤式離子佈植與退火製程對n通道鍺金氧半電晶體電特性之影響__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	吳柏鈞
作者(外文):	Wu, Po-Chun
論文名稱(中文):	電漿浸潤式離子佈植與退火製程對n通道鍺金氧半電晶體電特性之影響
論文名稱(外文):	Effects of Plasma Immersion Ion Implantation and Annealing Processes on Electrical Characteristics in Ge nMOSFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生李耀仁
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Lee, Yao-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	109011568
出版年(民國):	111
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	98
中文關鍵詞:	n通道鍺金氧半電晶體、電漿浸潤式離子佈植、n+/p接面、雷射退火、微波退火
外文關鍵詞:	nMOSFET、Plasma Immersion Ion Implantation、n+/p Junction、Laser annealing、Microwave annealing
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