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作者(中文):李承漢
作者(外文):Li, Cheng-Han
論文名稱(中文):應用氮化鉿閘極界面層以改善N/P型鍺金氧半元件特性之研究
論文名稱(外文):Improved characteristics of Ge N/P MOS device by gate interfacial layer with hafnium nitride
指導教授(中文):張廖貴術
指導教授(外文):Kuei-Shu, Chang-Liao
口試委員(中文):李耀仁
趙天生
口試委員(外文):Lee, Yao-Jen
Chao, Tien Sheng
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:工程與系統科學系
學號:109011563
出版年(民國):111
畢業學年度:111
語文別:中文
論文頁數:120
中文關鍵詞:鍺互補式電晶體、氮化鉿界面層、富金屬界面層
外文關鍵詞:Germanium CMOS、HfN interfacial layer、Metal-rich interfacial layer
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