應用真空退火與電漿處理於閘界面層以改善鍺n/p型鰭式電晶體電特性之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

圖書館首頁| 網站地圖| 首頁| 本站說明| 聯絡我們| 相關資源| 台聯大論文系統| 操作說明 | English

帳號：guest(18.191.254.44) 離開系統

字體大小：

字級放大

字級縮小

預設字形

詳目顯示

第 1 筆 / 共 1 筆

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

/1頁

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士論文系統

、以作者查詢全國書目

論文基本資料
電子全文

作者(中文):	楊凱鈞
作者(外文):	Yang, Kai-Chun.
論文名稱(中文):	應用真空退火與電漿處理於閘界面層以改善鍺n/p型鰭式電晶體電特性之研究
論文名稱(外文):	Improved Electrical Characteristics in Ge n/p-FinFET with Vacuum Annealing and Plasma Treatments on Gate Interfacial Layer
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生李耀仁
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	109011559
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	152
中文關鍵詞:	真空、電漿、閘極、鍺、鰭式電晶體、電特性、界面
外文關鍵詞:	vacuum、plasma、gate、Ge、FinFET、electrical、annealing、interfacial
相關次數:	推薦:0 點閱:37 評分: 下載:0 收藏:0

(此全文20270725後開放外部瀏覽)
電子全文
摘要

推文
推薦
評分
引用網址
轉寄

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

相關論文

1.	利用氮氫電漿處理改善原子層化學氣相沉積HfLaOx高介電閘極氧化層之研究
2.	藉由電漿氯化界面層以改善具有氮化介電層之金氧半元件電特性
3.	金氧半元件中高介電與界面層之退火與在原位電漿處理的電與材料特性研究
4.	閘極介面工程對鍺互補式金氧半鰭式電晶體電特性研究
5.	以閘極工程改善n型鍺電晶體之電性研究
6.	以高介電層金屬閘堆疊工程製作高遷移率與低等效氧化層厚度之鍺金氧半電晶體研究
7.	鰭式及全環繞式場效電晶體之電特性與可靠度研究
8.	閘堆疊處理與鍺縮合對鰭式電晶體與矽鍺金氧半電晶體之電特性影響研究
9.	以多種方式降低矽鍺通道氧化鉿鋯鐵電鰭式電晶體的次臨界斜率之研究
10.	高效能鍺互補式金氧半元件之界面工程研究
11.	介面層經熱與氮氣處理對純鍺金氧半電晶體元件之電特性影響研究
12.	閘極堆疊介面處理對鰭式電晶體之電特性與可靠度影響研究
13.	鉿金屬氧化物閘介電層金氧半元件之電性與可靠度特性研究
14.	快閃記憶體操作效能提昇之研究
15.	新型垂直結構及堆疊穿隧介電層應用於快閃記憶體元件之研究

簡易查詢 | 進階查詢 | 論文瀏覽 | 熱門排行 | 管理/審核者登入