鍺基板鐵電電晶體採用微波退火後快速熱退火製程以實現三位元儲存能力和堅固耐用性__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	陳建智
作者(外文):	Chen, Jian-Zhi
論文名稱(中文):	鍺基板鐵電電晶體採用微波退火後快速熱退火製程以實現三位元儲存能力和堅固耐用性
論文名稱(外文):	Ge FeFET Memory with Triple-Level Cell Storage Capability and Robust Endurance Using Microwave Annealing Followed by Rapid Thermal Annealing
指導教授(中文):	巫勇賢
指導教授(外文):	Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):	吳永俊蘇俊榮
口試委員(外文):	Wu, Yung-Chun
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	109011543
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	76
中文關鍵詞:	鍺基板、鐵電電晶體、介面工程、電荷捕捉效應、三位元、微波退火
外文關鍵詞:	Germanium Substrate、FeFET、Interface engineering、Charge trapping effect、Triple-level Cell、Microwave annealing
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