大電流增強式指叉型場板結構 p型氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	陳達育
作者(外文):	Chen, Da-Yu
論文名稱(中文):	大電流增強式指叉型場板結構 p型氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of High Current Enhancement Mode Multi-finger Field Plate p-GaN HEMT
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	吳忠幟王郁琦張國仁羅文雄
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063571
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	英文
論文頁數:	81
中文關鍵詞:	氮化鎵、p型氮化鎵、高電子遷移率電晶體、指叉狀結構、場版、功率元件
外文關鍵詞:	Gallium Nitride、p-type Gallium Nitride、high electron mobility transister、multi-finger structure、field plate、power device
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