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論文基本資料
電子全文
作者(中文):
林祐安
作者(外文):
Lin, You-An
論文名稱(中文):
4H-SiC溝槽式閘極金氧半場效電晶體之設計與模擬分析
論文名稱(外文):
The Design and Simulation Analysis of 4H-SiC Trench Gate MOSFET
指導教授(中文):
黃智方
指導教授(外文):
Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):
盧向成
顏誠廷
口試委員(外文):
Lu, Shiang-Cheng
Yen, Cheng-Tyng
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立清華大學
系所名稱:
電子工程研究所
學號:
108063568
出版年(民國):
111
畢業學年度:
110
語文別:
中文
論文頁數:
57
中文關鍵詞:
4H-SiC
、
溝槽式閘極金氧半場效電晶體
、
模擬分析
、
場效電晶體
外文關鍵詞:
4H-SiC
、
Trench Gate MOSFET
、
Simulation Analysis
、
MOSFET
相關次數:
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