資料載入處理中...
圖書館首頁
|
網站地圖
|
首頁
|
本站說明
|
聯絡我們
|
相關資源
|
台聯大論文系統
|
操作說明
|
English
簡易查詢
進階查詢
論文瀏覽
熱門排行
我的研究室
上傳論文
建檔說明
常見問題
帳號:guest(3.15.189.218)
離開系統
字體大小:
詳目顯示
第 1 筆 / 共 1 筆
/1
頁
以作者查詢圖書館館藏
、
以作者查詢臺灣博碩士論文系統
、
以作者查詢全國書目
論文基本資料
電子全文
作者(中文):
黃博彥
作者(外文):
Huang, Po-Yen
論文名稱(中文):
氮化鎵高頻被動元件設計及無金歐姆接觸可靠度分析
論文名稱(外文):
GaN-based High Frequency Passive Devices Design and Au-free Ohmic Contact Reliability Analysis
指導教授(中文):
徐碩鴻
指導教授(外文):
Hsu, Shuo-Hung
口試委員(中文):
連羿韋
章殷誠
口試委員(外文):
Lian, Yi-Wei
Chang, Yin-Cheng
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立清華大學
系所名稱:
電子工程研究所
學號:
108063567
出版年(民國):
111
畢業學年度:
111
語文別:
中文
論文頁數:
120
中文關鍵詞:
氮化鎵
、
被動元件
、
去嵌入
、
無金
、
可靠度分析
外文關鍵詞:
GaN
、
Passive Device
、
De-embedding
、
Au-free
、
Reliability Analysis
相關次數:
推薦:0
點閱:665
評分:
下載:0
收藏:0
(此全文20270822後開放外部瀏覽)
電子全文
摘要
推文
當script無法執行時可按︰
推文
推薦
當script無法執行時可按︰
推薦
評分
當script無法執行時可按︰
評分
引用網址
當script無法執行時可按︰
引用網址
轉寄
當script無法執行時可按︰
轉寄
top
相關論文
1.
矽基板氮化鎵高頻電容性元件及主動元件設計與製作
2.
矽基氮化鎵高頻無金感性及主動元件設計、製作與分析
3.
CMOS主動及被動微波積體電路設計
4.
射頻混波器的設計與特性分析
5.
高效能氮化物功率半導體元件
6.
射頻金氧半場效電晶體之基板模型建立及參數直接萃取方法
7.
應用於無線-有線通訊之微波CMOS積體放大器
8.
射頻元件低頻雜訊特性分析與模型
9.
壓控振盪器之設計與基底雜訊對壓控振盪器影響之研究
10.
應用於鎖相迴路之高頻除頻器
11.
超寬頻低雜訊放大器設計與分析
12.
運用標準CMOS製程與ABOVE-IC技術之K/KA頻平衡式放大器設計
13.
先進金氧半電晶體之高頻雜訊分析
14.
淺溝槽隔離對0.13微米射頻互補式金氧半場效電晶體低頻雜訊的影響
15.
高速除頻器之設計與基底雜訊對其電路特性影響之研究
簡易查詢
|
進階查詢
|
論文瀏覽
|
熱門排行
|
管理/審核者登入