高頻高功率轉換效率之碳化矽基板射頻鰭狀氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	王仲倫
作者(外文):	Wang, Chung-Lun
論文名稱(中文):	高頻高功率轉換效率之碳化矽基板射頻鰭狀氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of High Frequency and High PAE AlGaN/GaN RF Fin-HEMTs on SiC substrate
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	羅文雄王郁琦張國仁吳忠幟
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063563
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	99
中文關鍵詞:	高電子遷移率電晶體、鰭狀結構、漏電流、氮化鋁鎵/氮化鎵、射頻元件、大訊號
外文關鍵詞:	AlGaN/GaN、HEMTs、leakage、Fin structure、Radio frequency、large signal
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