4H-SiC MOS 電容在不同閘極氧化層厚度之可靠度評估__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	黃柏謙
作者(外文):	Huang, Po-Chien
論文名稱(中文):	4H-SiC MOS 電容在不同閘極氧化層厚度之可靠度評估
論文名稱(外文):	Reliability Evaluation of 4H-SiC MOS Capacitor with Different Gate Oxide Thicknesses
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	辛裕明吳添立
口試委員(外文):	Hsin, Yue-ming Wu, Tian-Li
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063559
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	56
中文關鍵詞:	碳化矽、閘極氧化層、可靠度
外文關鍵詞:	4H-SiC、GateOxide、Reliability
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