垂直型4H-SiC TMBS與VDMOS之模擬研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	詹詠翔
作者(外文):	Jan, Yong-Shiang
論文名稱(中文):	垂直型4H-SiC TMBS與VDMOS之模擬研究
論文名稱(外文):	Simulation Study of 4H-SiC Vertical TMBS and VDMOS
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	盧向成李坤彥
口試委員(外文):	Lu, Shiang-Cheng Lee, Kung-Yen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063515
出版年(民國):	110
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	60
中文關鍵詞:	碳化矽二極體、高崩潰電壓、接面終結延伸
外文關鍵詞:	4H-SiC、TMBS、VDMOS、High breakdown voltage、TZ-JTE
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