相容於高介電金屬閘極製程之自我抑制互補元件物理不可複製函數__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	李汪奕
作者(外文):	Lee, Wang-Yi
論文名稱(中文):	相容於高介電金屬閘極製程之自我抑制互補元件物理不可複製函數
論文名稱(外文):	Self-Inhibit Complementary Cells in High-k Metal Gate CMOS Processes for the Implementation of Physical Unclonable Function
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林崇榮施教仁
口試委員(外文):	Lin, Chrong-Jung Shih, Jiaw-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063505
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	70
中文關鍵詞:	物理不可複製函數、硬體安全、閘極氧化層崩潰、互補元件物理不可複製函數、自我抑制物理不可複製函數、蒙地卡羅模擬
外文關鍵詞:	Physical Unclonable Function、Hardware Security、Gate Oxide Breakdown、Complementary PUF、Self-Inhibit PUF、Monte Carlo Simulation
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