相容於鰭式場效電晶體邏輯製程之P通道交叉耦合差動式可多次寫入記憶體元件__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	莊暐誠
作者(外文):	Zhuang, Wei-Cheng
論文名稱(中文):	相容於鰭式場效電晶體邏輯製程之P通道交叉耦合差動式可多次寫入記憶體元件
論文名稱(外文):	A P-channel Cross-couple Differential Multiple-Time Programmable Memory Cells in FinFET Technologies
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林崇榮施教仁
口試委員(外文):	Lin, Chrong-Jung SHIH, JIAO-REN
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	108063501
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	64
中文關鍵詞:	非揮發記憶體、邏輯相容非揮發記憶體、鰭式場效電晶體、浮動閘極記憶體、可多次寫入記憶體、自我修復
外文關鍵詞:	non-volatile memory、logic compatible non-volatile memory、FinFET、Floating gate memory、Multiple-time programmable memory、self-boosting
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