資料載入處理中...
圖書館首頁
|
網站地圖
|
首頁
|
本站說明
|
聯絡我們
|
相關資源
|
台聯大論文系統
|
操作說明
|
English
簡易查詢
進階查詢
論文瀏覽
熱門排行
我的研究室
上傳論文
建檔說明
常見問題
帳號:guest(18.222.46.156)
離開系統
字體大小:
詳目顯示
第 1 筆 / 共 1 筆
/1
頁
以作者查詢圖書館館藏
、
以作者查詢臺灣博碩士論文系統
、
以作者查詢全國書目
論文基本資料
電子全文
作者(中文):
邱證元
作者(外文):
Chiu, Cheng-Yuan
論文名稱(中文):
利用沉積後退火製作高可靠度氧化鉿鋯鐵電薄膜及其於突觸可塑性之應用
論文名稱(外文):
Highly Reliable Ferroelectric HfZrOx Thin Film Formed by Post Deposition Annealing and Its Applications to Synapse Plasticity
指導教授(中文):
巫勇賢
指導教授(外文):
Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):
吳永俊
唐英瓚
口試委員(外文):
Wu, Yung-Chun
Tang, Ying-Tsang
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立清華大學
系所名稱:
工程與系統科學系
學號:
108011704
出版年(民國):
110
畢業學年度:
109
語文別:
中文
論文頁數:
87
中文關鍵詞:
可靠度
、
鐵電材料
、
沉積後退火
、
氧空缺控制
、
氧化鉿鋯
、
氮氧化鋁
外文關鍵詞:
Reliability
、
Ferroelectric material
、
Post deposition annealing
、
Oxygen vacancy control
、
HfZrOx
、
AlON
相關次數:
推薦:0
點閱:63
評分:
下載:0
收藏:0
(此全文20260725後開放外部瀏覽)
電子全文
中英文摘要
推文
當script無法執行時可按︰
推文
推薦
當script無法執行時可按︰
推薦
評分
當script無法執行時可按︰
評分
引用網址
當script無法執行時可按︰
引用網址
轉寄
當script無法執行時可按︰
轉寄
top
相關論文
1.
應用於新穎式非揮發性記憶體元件之鐵電二氧化鉿材料可靠度研究
2.
藉由沉積後退火製程與介面工程開發高可靠度之鐵電電容及應用於多位元儲存操作
3.
以介面工程改善鐵電氧化鉿鋯記憶體之可靠度表現
4.
用氮氧化鋁作為介面層提升鐵電記憶體之記憶視窗及耐用度
5.
可微縮的二維及三維氧化鋯鉿鐵電記憶體:工程化途徑與可靠度分析
6.
藉由漸層式堆疊氧化鋯鉿薄膜以改善鐵電電晶體元件效能及可靠度
7.
矽晶圓上鍺電容器之高品質閘極氧化層
8.
利用氮化的方式在矽太陽能電池上形成選擇性射極
9.
在矽晶圓上製作高效能鍺電晶體
10.
以鍺化物作為非揮發性記憶體之電荷儲存層
11.
高介電常數結晶態鋯基介電層於金屬—絕緣體—金屬電容之研究
12.
三維分佈奈米晶體與結晶化高介電材料應用於非揮發性記憶體之研究
13.
High performance MIM capacitor with bi-layer high-k dielectric structure
14.
使用二氧化矽/二氧化鈦堆疊介電層調節金屬-絕緣體-金屬電容二次電容電壓係數之研究
15.
利用ZrTiOx介電層製作MIS結構及MIM結構電阻式記憶體
簡易查詢
|
進階查詢
|
論文瀏覽
|
熱門排行
|
管理/審核者登入