鍺縮合處理矽/矽鍺通道對全環繞式閘極電晶體電特性影響研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	王顥諺
作者(外文):	Wang, Hao-Yan
論文名稱(中文):	鍺縮合處理矽/矽鍺通道對全環繞式閘極電晶體電特性影響研究
論文名稱(外文):	Effects of Ge Condensation Treated Si/SiGe Channel on Electrical Characteristics in GAAFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	CHANG LIAO, KUEI-SHU
口試委員(中文):	羅廣禮朱俊霖
口試委員(外文):	LUO, GUANG-LI CHU, CHUN-LIN
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	108011567
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	95
中文關鍵詞:	鍺縮合製程、輻射效應
外文關鍵詞:	Ge Condensation process、radiation effect
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