堆疊氧化物與電漿處理之電荷儲存層對多晶矽快閃記憶體元件之操作特性及輻射傷害之影響__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	林品翔
作者(外文):	Lin, Pin-Siang
論文名稱(中文):	堆疊氧化物與電漿處理之電荷儲存層對多晶矽快閃記憶體元件之操作特性及輻射傷害之影響
論文名稱(外文):	Effects of Stacked Oxide and Plasma Treatment in Charge Trapping Layers on Operation Characteristics and Radiation Damage of Poly-Si Flash Memory Devices
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生吳永俊
口試委員(外文):	Zhao, Tian-Sheng Wu, Yong-Jun
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	108011565
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	中文
論文頁數:	109
中文關鍵詞:	快閃記憶體、輻射效應、電漿處理、電荷儲存層
外文關鍵詞:	Flash memory、Plasma treatment、stacked oxide、radiation damage
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