超臨界流體製程對鍺互補式金氧半鰭式電晶體電特性研究之影響__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	簡佑亘
作者(外文):	Chien, Yu-Hsuan
論文名稱(中文):	超臨界流體製程對鍺互補式金氧半鰭式電晶體電特性研究之影響
論文名稱(外文):	Supercritical Fluid Treatment on Electrical Characteristics in Ge CMOS FinFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生李耀仁
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Lee, Yao-Jen
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	108011542
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	133
中文關鍵詞:	超臨界流體製程、鍺鰭式電晶體、互補式金屬氧化物半導體
外文關鍵詞:	Supercritical Fluid Treatment、GeFinFET、CMOS
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