元素含量及電漿處理於閘介面層對矽鍺鰭式場效電晶體之電特性影響研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	李政遠
作者(外文):	Li, Cheng-Yuan
論文名稱(中文):	元素含量及電漿處理於閘介面層對矽鍺鰭式場效電晶體之電特性影響研究
論文名稱(外文):	Effects of Element Contents and Plasma Treatments in Gate Interfacial Layer on Electrical Characteristics of SiGe FinFET
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	羅廣禮朱俊霖
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	108011535
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	89
中文關鍵詞:	半導體工程
外文關鍵詞:	Semiconductor Engineering
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