探索層狀硒化銦穩定與鈍化技術朝次世代元件應用發展__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	楊豐碩
作者(外文):	Yang, Feng-Shou
論文名稱(中文):	探索層狀硒化銦穩定與鈍化技術朝次世代元件應用發展
論文名稱(外文):	Stability and passivation techniques of layered indium selenide toward next-generation device applications
指導教授(中文):	連振炘林彥甫
指導教授(外文):	Lien, Chen-Hsin Lin, Yen-Fu
口試委員(中文):	周苡嘉蘇清源胡璧合
口試委員(外文):	Chou, Yi-Chia Su, Ching-Yuan Hu, Pi-Ho
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	107063801
出版年(民國):	111
畢業學年度:	111
語文別:	中文
論文頁數:	107
中文關鍵詞:	二維材料、硒化銦、神經突觸
外文關鍵詞:	Two-dimensional materials、Indium selenide、Synapse
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