原子層沉積臨場摻鎵氧化鋅薄膜及其於同型同質接面應用之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	王鴻偉
作者(外文):	Wang, Hung-Wei
論文名稱(中文):	原子層沉積臨場摻鎵氧化鋅薄膜及其於同型同質接面應用之研究
論文名稱(外文):	Research on the Zinc Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition with in-situ Gallium Doping and Their Application to Isotype Homojunctions Formation
指導教授(中文):	徐永珍
指導教授(外文):	Hsu, Klaus Yung-Jane
口試委員(中文):	賴宇紳黃智方
口試委員(外文):	Lai, Yu-Sheng Huang, Chih-Fang
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	107063534
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	81
中文關鍵詞:	原子層沉積、臨場摻雜、氧化鋅、摻鎵氧化鋅、同質同型接面、電晶體
外文關鍵詞:	Atomic Layer Deposition、in-situ doping、Zinc Oxide、Gallium-Doped Zinc Oxide、Isotype Homojunction、Transistor
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