碳化矽基板氮化鋁鎵/氮化鎵射頻功率高電子遷移率電晶體之元件製作與設計__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	蘇中望
作者(外文):	Su, Chung-Wang
論文名稱(中文):	碳化矽基板氮化鋁鎵/氮化鎵射頻功率高電子遷移率電晶體之元件製作與設計
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of RF AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on SiC substrates
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	王郁琦羅文雄綦振瀛劉嘉哲
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	107063512
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	英文
論文頁數:	74
中文關鍵詞:	高電子遷移率電晶體、氮化鎵、碳化矽基板、磊晶角度、鰭式電晶體
外文關鍵詞:	HEMT、GaN、SiC substrate、epitaxy orientation、Fin-HEMT
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