鰭狀奈米通道之氮化鋁鎵 /氮化鎵高電子遷移率電晶體研製__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	陳柏辰
作者(外文):	Chen, Po-Chen
論文名稱(中文):	鰭狀奈米通道之氮化鋁鎵 /氮化鎵高電子遷移率電晶體研製
論文名稱(外文):	Design and Fabrication of AlGaN/GaN Nanochannel Fin-HEMTs
指導教授(中文):	吳孟奇
指導教授(外文):	Wu, Meng-Chyi
口試委員(中文):	王郁琦劉文超黃建璋
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	107063504
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	英文
論文頁數:	58
中文關鍵詞:	鰭式結構、T型閘極、高電子遷移率電晶體、高頻元件、功率放大器
外文關鍵詞:	Fin-structure、T-gate、HEMT、RF-device、Power-Amplifier
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