應用後氧化製程以改善n通道鍺金氧半場效電晶體電特性之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	劉冠廷
作者(外文):	Liu, Guan-Ting
論文名稱(中文):	應用後氧化製程以改善n通道鍺金氧半場效電晶體電特性之研究
論文名稱(外文):	Improved Electrical Characteristics in Ge nMOSFETs with Post-oxidation Process
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生劉柏村
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Liu, Po-Tsun
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	107011575
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	中文
論文頁數:	115
中文關鍵詞:	鍺、金氧半場效電晶體、超臨界流體、電漿後氧化、鎳鍺
外文關鍵詞:	Germanium、MOSFET、Supercritical phase fluid、Plasma post oxidation、Nickel-Germanide
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